电源，并供给了各种参阅规划。最典型的是为内部和外部电源供给的GreenPoint?参阅规划。这些开放式参阅规划为高效电源规划供给了开发路线图，山谷原理图、物料单、Gerber文件、规划说明、测验成果等文档，客户可快速进入商场。该参阅规划契合一切相关全球能效规范，供给了用一个规划进入全球商场的机会。

  1) 用于310 W ATX电源的单芯片CCM PFCLLC解决计划：选用NCP1910高性能CCM PFC LLC组合(Combo)操控器，契合80 PLUS?金级能效规范；集成了ON/OFF和电源正常(Power OK)信号操作，契合ATX12V规范；易于装备发动和封闭时序，以满意坚持修长和掉电正告要求。

  2) 240 W一体式PC电源：用于高能效一体式PC电源的12 V、20 A开关电源(SMPS)选用NCP1605操控的频率钳位功率因数校对前端，NCP1397供给半桥谐振LLC操控，NCP4303供给次级端同步整流。

  3) 300 W超薄液晶电视电源参阅规划：是一款电路板高度仅为8 mm的超薄液晶电视电源规划，运用NCP1631进行交织式频率钳位临界导电功率因数校对，NCP1053A集成开关稳压器供给低能耗待机状况(封闭形式下Pin 25 mW)；高能效NCP1379准谐振反激式转化器为信号处理和音频放大器供电。

  4) 65 W AC-DC笔记本电脑电源适配器：是一款用于笔记本电脑电源适配器的19V、3.4A反激式规划；它选用NCP1236固定频率PWM反激式操控器，具有集成的高电压发动、欠压维护和过功率维护功用；其平均能效 87％，契合动力之星2.0规范，空载输入功率100 mW。

  图4：65 W AC-DC笔记本电源适配器功率与输出功率和输入线 W准谐振电源适配器：19 V准谐振电源适配器可用于笔记本电脑电源适配器；它选用NCP1380准谐振反激式操控器，具有谷底确定功用，可防止轻载时的变压器可听噪声；平均能效 87％，契合动力之星2.0规范，空载输入功率100 mW。

  6) 48 W通用输入打印机电源适配器：用于打印机的24V反激式电源适配器可供给30 W稳态和48 W瞬态才能，待机形式能耗7.25 V/70 mA；选用NCP1219电流形式反激式操控器，具有动态自供电功用，是一个超高的性价比的低元件数量规划。

  7) 40W AC-DC电源适配器：是一款紧凑、高性能的12V、3.3A反激式电源适配器；它选用高度集成小型TSOP-6封装NCP1250固定频率反激式操控器，平均能效 87％，在低输入电压条件下的空载输入功率为33 mW。

  8) 22 W离线正激转化器电源：这是一款12 V、最大2 A(22 W接连功率)离线单片开关稳压器；简略紧凑的规划可完结低EMI和高能效，可用于白家电、电表、低能耗通讯设备。

  除了上述电源参阅规划，安森美半导体还供给全方位的电源半导体器材，从高度集成的功率因数操控器、AC-DC操控器、

  操控器到分立式MOSFET、整流器、二极管和晶体管等。1) 功率因数操控器：城外NCP1605、NCP1607、NCP1608、NCP1631、NCP1651、NCP1652、NCP1653和NCP1654等。全面的产品组合支撑各种PFC拓扑结构，城外8引脚接连导电形式(CCM) PFC操控器、8引脚临界导通形式(CrM) PFC操控器、集成CrM和固定频率不接连导电形式(DCM)的PFC操控器、单段反激式PFC操控器，以及2相交织式PFC操控器等。

  2) 次级端操控器：NCP4303可完结CCM、DCM和QR反激式使用的同步整流操控、准确的真实次级端零电流检测(带可调理阈值)，还有主动寄生电感补偿输入。

  3) AC-DC操控器和稳压器：丰厚的多功用组合支撑固定频率和可变频率；不同拓扑结构，从传统反激到选用正激有源钳位的半桥谐振；广泛的性价比挑选，从超高的性价比的器材到高度集成的操控器和稳压器；嵌入的立异功用便于契合更严厉的能效要求，如频率反走、软跳周期(Soft-Skip?)形式；许多功用可削减电磁搅扰(EMI)信号，有助于契合安全规范。

  操控器和稳压器：从0.5 A至10 A规模的集成开关稳压器，有各种拓扑结构挑选，城外降压、升压、降压/升压和反相；宽输入电压规模高达200V，PWM操控器可以驱动高达30 A电流。

  5) 线 mV，输出电流规模从80mA至3 A，电源按捺比高达90 dB，超快速瞬态呼应不到1 μs，2.5 μA的超低静态电流(Iq)和接地电流(Ignd)

  6) 各种电源转化MOSFET：这类功率器材可大致分为几类，如低导电损耗、低RDS(on)的ORing MOSFET，其IM总线 V总线 V；阻隔式拓扑结构DC-DC(砖式) MOSFET，供给低导电损耗的低RDS(on)，集成了低损耗肖特基二极管，耐热增强型SO-8 FL适用于需求散热的使用；非阻隔式拓扑结构降压DC-DCMOSFET，除具有低传导损耗的低RDS(on) 特色，还集成了进步轻载功率的肖特基二极管，耐热增强型SO-8 FL封装适用于需求散热的使用。

  7) MOSFET驱动器：这一些器材供给两个输出，可驱动高电压功率MOSFET和IGBT，合适多种拓扑结构（如半桥、非对称半桥、有源钳位、全桥），电压规模高达600 V，dV/dt免疫力为±50 V/ns，与行业规范引脚对引脚兼容。

  8) 根据沟道的肖特基二极管：这类器材具有低Vf及高作业时分的温度才能的特色，有助于进步能效。

  9) 电压基准：准确的基准电压从0.9 V至2.5 V，严厉的电压容限为0.4％至3％，输出电压规模高达36 V；此外，还具有低动态阻抗、低噪声和安稳运转的特色，丰厚的封装城外外表贴装和通孔。

  安森美半导体使用其丰厚的电源特长、解决计划和产品，协助规划人员快速进步夹藏能效。这一些产品和解决计划可节约能耗，供给高性价比的电源，以满意一直在改变的全球能效规范。高能效电源计划能协助客户完结进步其产品能效的应战，如低待机形式能耗、高作业形式能效和功率因数校对。安森美半导体在全球具有广泛的规划和使用资源网络，现场使用工程师以客户为中心的支撑，协助客户优化电源规划。

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